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Modélisation ab initio de la diffusion du bore dans le silicium

T. Á. Oliveira; Universidade de Aveiro (2008)

Resumo

O presente trabalho tem como principal objectivo a exposição dos principais elementos inerentes à modelação ab initio de defeitos em estruturas cristalinas
de silício. Para tal foi usado o pacote de software AIMPRO, largamente usado na comunidade científica, incluindo no Departamento de Física da Universidade de Aveiro, cujo código foi desenvolvido por R. Jones e P.R. Briddon e tem sofrido várias contribuições de outros colaboradores.

Como aplicação foram recriadas várias conclusões teorico-experimentais relativas à difusão de átomos de boro em estruturas de silício cristalino e ligas SiGe, no mecanismo de difusão proposto recentemente por W. Windl et al. em 2001.

Foram confirmadas as conclusões de Cowern et al. (1994) e J. Bang et al. (2007) de que a presença de átomos de Ge na vizinhança dos átomos de B contribui para a retardação da difusão destes.